Кинетика трансформации формы эшелонов атомных ступеней на поверхности Si(001) в условиях электромиграции
Аннотация:
Предмет исследования. На качество кремниевых эпитаксиальных структур значительное влияние оказывает как начальная морфология поверхности, так и ее трансформация в процессе роста. Одним из явлений огрубления поверхности кремния в процессе отжига, роста, воздействии электрического тока, и адсорбции инородного материала является формирование эшелонов ступеней. В работе приведены результаты экспериментального исследования кинетики трансформации эшелонов атомных ступеней на поверхности Si(001) в условиях электромиграции при нагреве постоянным электрическим током в направлении вниз по ступеням в интервале температур 1000–1150 °С. Метод. Отжиг образцов выполнен в сверхвысоковакуумной камере отражательного электронного микроскопа с последующей закалкой до комнатной температуры. В атмосферных условиях с применением атомно-силового микроскопа получены данные о зависимости среднего расстояния между ступенями от количества ступеней в эшелоне. Основные результаты. Установлено, что экспериментально построенная зависимость подчиняется степенному закону l ∝ Nα, где α изменялся от –0,68 до –0,36. Подтверждено изменение потенциала упругого взаимодействия ступеней в эшелонах с ростом температуры. Практическая значимость. Результаты работы определяют понимание процесса эшелонирования Si(001) при повышенных температурах.
Ключевые слова:
Постоянный URL
Статьи в номере
- Особенности изображений воды, льда, снега, предметов и человека, формируемых гибридной телевизионной камерой в ближнем инфракрасном диапазоне
- Анализ периодически текстурированных кремниевых солнечных элементов с использованием технологии моделирования TCAD
- Сцинтилляционные датчики гамма-излучения на основе твердотельных фотоумножителей в составе беспроводных сетей промышленного интернета
- Повышение качества сетевого управления технологическими процессами
- Геометрический подход к решению задачи для машин Дубинса при формировании программных траекторий движения
- Дрейф двумерных вакансионных островков на поверхности Si(100) в условиях электромиграции
- Исследование фотокаталитических свойств композитов хитозан-TiO2 для разложения пирена
- Аномальный диффузионный профиль адатомов на экстремально широких террасах поверхности Si (111)
- Методика эксперимента для оценивания вероятности и опасности реализации сетевых атак в автоматизированных системах
- Метод отбора мета-признаков на основе фреймворка Auto-sklearn
- Автоматическое построение дерева диалога по неразмеченным текстовым корпусам на русском языке
- Обобщенное программирование с комбинаторами и объектами
- Машинное обучение байесовской сети доверия как инструмента оценки интенсивности процесса по данным из социальной сети
- Модели реструктуризации программного обеспечения для языка объектно-ориентированного программирования с использованием алгоритма нечеткой кластеризации
- Концепция управления сетевой структурой интеллектуальных устройств в условиях цифровой трансформации энергетической отрасли
- Защита изображений лиц от распознавания в социальных сетях: способы решения и их перспективы
- Избыточные модели контролепригодных распределенных вычислительных систем реального времени
- Исследование влияния толщины базы на фотоэлектрические параметры кремниевых солнечных элементов с использованием новых TCAD алгоритмов
- Сбалансированный алгоритм гибридного метода крупных частиц и его проверка на некоторых тестовых задачах
- Архитектура системы полнотекстового поиска по речевым данным на основе глобального индекса
- Оценка кровоснабжения мозга через интактный череп с использованием визуализирующей фотоплетизмографии